2018年2月21日，全球先进半导体技术领导者三星电子和Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)子公司Qualcomm Technologies, Inc.宣布，双方计划将长达十年的代工合作关系扩展至EUV光刻制程工艺，包括采用三星7纳米LPP(Low Power Plus)EUV制程工艺制造未来的Qualcomm®骁龙™5G移动芯片组。
通过采用7LPP EUV制程工艺，骁龙5G移动芯片组的芯片尺寸将更小，从而为OEM厂商即将推出的产品提供更多可用空间，以支持更大电池或更纤薄设计。工艺改进与更先进芯片设计的结合预计将带来显著提升的电池续航。
去年五月，三星推出其首款采用EUV光刻解决方案的半导体制程工艺7LPP EUV。EUV光刻技术的部署预计将打破摩尔定律的壁垒，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。
相较于其前代10纳米FinFET技术，三星的7LPP EUV技术通过更少工艺步骤和更佳良率，不仅极大地降低了工艺复杂性，也带来了高达40%的面积效率，同时实现10%的性能提升或高达35%的功耗降低。
Qualcomm Technologies, Inc.供应链及采购高级副总裁RK Chunduru表示：“我们很高兴能够与三星共同引领5G移动行业。通过采用7纳米 LPP EUV，我们全新一代骁龙5G移动芯片组将充分利用工艺改进和先进的芯片设计，以提高未来终端的用户体验。”
三星电子代工业务销售及市场执行副总裁Charlie Bae表示：“我们很高兴扩大与Qualcomm Technologies的代工合作关系，在5G技术中采用我们的EUV制程工艺。此次合作是我们代工业务的里程碑，表明了对于三星领先制程工艺的信心。”
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