引言：富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM产品MB85AS4MT，此产品提供业界最低读取电流的内存，适用于穿戴式装置与助听器。
富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术，未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20，数据擦写上限是后者的10倍。
此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备，例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备上有绝佳的表现。
截至目前为止，富士通通过提供具有耐读写及低功耗特性的FRAM(铁电随机存储器)，以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求。在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后，富士通可进一步扩充产品系列，以满足客户多样化的需求。
MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作，还能通过SPI接口支持最高5 MHz的工作频率，并在读取时仅需极低的工作电流(5MHz频率下平均仅消耗0.2mA)。此外，该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。
此全新产品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package)，引脚与EEPROM等非易失性内存产品兼容。富士通在微型8-pin SOP封装中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。
富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备，以及量表与传感器等物联网设备。
富士通预期未来持续提供各种产品与解决方案，以协助客户提升其应用的价值与便利性。
产品规格
组件料号：MB85AS4MT
内存密度(组态)：4 Mbit(512K字符x 8位)
界面：SPI(Serial peripheral interface)
工作电压：1.65 – 3.6V
低功耗：读入工作电流0.2mA(于5MHz)
写入工作电流1.3mA(写入周期间)
待机电流10µA
休眠电流2µA
保证写入周期：120万次
保证读取周期：无限
写入周期(256 位/页)：16毫秒(100%数据倒置)
数据保留：10年(最高摄氏85度)
封装：209mil 8-pin SOP
词汇与备注
1. 可变电阻式内存(ReRAM)：
为非易失性内存，藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜，产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简，由两电极间简易金属氧化物架构组成，使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。松下半导体于2013年即开始量产配备ReRAM的微型计算机。
2. 松下电器半导体：
〒617-8520 日本京都府长冈京市神足焼町1番地。
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