2016年8月12日，美国加州圣克拉拉——一年一度的内存峰会(Flash Memory Summit)于当地时间8月9日至11日，在美国加州圣克拉拉举行。全球闪存领军企业齐聚一堂，纷纷推出巿场最新闪存技术及产品。
图一：慧荣科技展出SM2260解决方案
2016年8月12日，美国加州圣克拉拉——一年一度的内存峰会(Flash Memory Summit)于当地时间8月9日至11日，在美国加州圣克拉拉举行。全球闪存领军企业齐聚一堂，纷纷推出巿场最新闪存技术及产品。在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)在本次峰会中展出首款PCIe SSD 控制芯片解决方案SM2260，作为PCIe 3.0 NVMe 1.2 的控制芯片，SM2260为8通道设计，最高可支持2TB 容量。
在本次展会中，我们还可以看到此款SM2260搭配 3D NAND的效能表现：读取速度可达2370MB，输写速度为1039MB，读写表现可圈可点。另外，SM2260控制器采用了RAID保护功能的专有NANDXtend™技术，有效提升解错能力，并确保数据的完整性。该款产品经过多项兼容性及稳定测试后才得以上巿，可谓众望所归。根据慧荣科技工作人员表示，SM2260已经被知名SSD 厂商所采用，很快就会在巿场上看见。
图二：SM2260控制芯片各方面性能表现
除了SM2260 PCIe SSD 主控芯片外，慧荣科技还介绍了新推出的搭载 3D TLC NAND的SM2258控制器，性能表现同样出色，完胜巿场上大多数SATA SSD。
图三：SM2258控制芯片各方面性能表现
另外，在本次闪存峰会上，宝存科技也展出企业级SSD解决方案。
图四：宝存科技展台
宝存科技携Shannon Direct-IO™ PCIe Flash及U.2(8639) PCIe Flash产品再度亮相闪存峰会。该系列产品不仅性能上不断完善，而且闪存颗粒工艺也由19/20nm更换为15nm，从成本上满足了企业对高性价比的追求。
图五：宝存科技推出的Shannon Direct-IO™ PCIe Flash系列
图六：宝存科技推出的Shannon Direct-IO™ U.2(8639) PCIe Flash系列
宝存科技预计将于今年下半年发布遵循NVMe标准的PCIe Flash产品，在本次展会现场可以找到该款产品的相关资料。宝存科技的NVMe是遵循PCIe标准的高速存储设备。相比Direct-IO™ PCIe Flash基于标准PCIe的高度可定制化架构，宝存科技的NMVe会拥有更好的通用性，并且在中小容量段更有应用的优势。通过Direct-IO™和NMVe两条PCIe产品线的构建，满足不同用户对不同场景的性能需求。
图七：宝存科技NVMe产品性能数据
在今年全球闪存峰会中，除了一睹慧栄科技在闪存技术的优势外，也可以了解慧栄过去十年的成果。慧荣科技致今已经销售超过50倍颗闪存相关主控芯片，成为全球销售第一的王者品牌。
图八：慧荣科技过去十年发展历程
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