引言：近日，赛普拉斯半导体公司推出了业界首款一系列4Mb串行F-RAM，新产品拓宽了最具有效的非易失性RAM的容量范围，主要应用于关键任务的数据存储。F-RAM不仅为用户提供100万亿次的读写寿命，而且85˚C温度下的数据保存时间可长达十年，65˚C下更是长达151年。
赛普拉斯半导体公司日前宣布，推出一系列4Mb串行铁电随机存取存储器(F-RAM™)，这是业界容量最大的串行F-RAM。该款4Mb串行F-RAM拥有40-Mhz串行外设接口(SPI)，工作电压范围是2.0至3.6V，采用业界标准的符合RoHS标准的封装方式。赛普拉斯所有的F-RAM均可提供100万亿次的读写寿命，85˚C温度下的数据保存时间可达十年，65˚C下则长达151年。
对于需要连续频繁高速数据读写，并要求保证数据的绝对安全性的应用而言，赛普拉斯的F-RAM是理想选择。这一4Mb串行F-RAM系列符合关键任务应用的需要，例如工业控制和自动化、工业计量、多功能打印机、测试和测量设备，以及可穿戴医疗等。
赛普拉斯非易失性产品事业部副总裁Rainer Hoehler指出：“关键任务系统要求高性能存储器能够在掉电瞬间可靠地捕获数据。赛普拉斯的4Mb F-RAM系列是业界最高容量的串行F-RAM器件，可提供绝对的数据安全性。”
供货情况
4Mb串行F-RAM目前正在出样，采用业界标准的8EIAJ 和 8TDFN封装方式。预计2015年第四季度量产。欲了解更多关于4Mb F-RAM系列的信息，请访问：。
关于赛普拉斯F-RAM
赛普拉斯提供丰富的F-RAM产品线，容量涵盖4Kb至4Mb，电压范围是2.0至5.5伏。赛普拉斯的F-RAM具有近乎无限的100万亿次读写寿命，因而理想适合于写操作密集的应用。F-RAM是业界能效最高的非易失性RAM解决方案;F-RAM单元具有与生俱来的低功耗特点，无需充电泵即可工作。赛普拉斯的F-RAM对于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存储器的应用来说，是非常理想的选择。这些应用包括汽车、工业、计算、网络、智能仪表以及多功能打印机。欲了解更多关于赛普拉斯F-RAM产品线的情况，请访问：
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