引言：近日，赛普拉斯半导体公司宣布旗下异步SRAM系列又添新丁，该款4Mb SRAM比没有ECC功能的SRAM可靠性高一千倍，同时，并有助于延长手持式设备的电池续航时间。
静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正码(ECC)的4Mb异步SRAM正在出样。这些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的数据可靠性，而无需额外的错误校正芯片，从而简化了设计，并缩小了电路板尺寸。该器件可在工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费及汽车等应用中确保数据的可靠性。
由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容，造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型异步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能，而无需用户干预，能达到业界最佳的小于0.1 FIT/Mb的软错误率(SER)性能(一个FIT等于器件每工作十亿小时发生一次错误)。这些新款器件与现有的快速异步和低功耗SRAM管脚兼容，客户无需改变电路板设计，即可提高系统的可靠性。这些4Mb SRAM还有可选的错误指示信号，可指示单比特错误的校正。
赛普拉斯异步SRAM业务部高级总监Sunil Thamaran说：“去年我们推出了首款具有片上ECC功能的16Mb异步SRAM，客户反响强烈。增加一款不同容量的产品，可使片上ECC技术造福于更多的应用。赛普拉斯一直致力于开发新的SRAM技术，为客户更好地服务，同时巩固我们在市场中不可撼动的领导地位。”
赛普拉斯4Mb异步SRAM有三款可选——快速4Mb SRAM、MoBL(更长电池寿命)4Mb SRAM、带PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM(附加深度睡眠节能模式，该模式下最大电流仅为15 uA)。每款均为业界标准的x8或x16配置。这些器件可在多种电压下工作(1.8V、3V和5V)，温度范围是-40°C 到 +85°C(工业级)和-40°C 到 +125°C(汽车E级)。
供货情况
这些新款SRAM的工业级温度范围产品目前正在出样，预计2015年7月量产。封装方式为符合RoHS标准的32-pin SOIC、32-pin TSOP II、36-pin SOJ、44-pin SOJ、44-pin TSOP II 以及 48-ball VFBGA。
关于赛普拉斯SRAM
赛普拉斯的SRAM拥有全球第一的市场占有率，是绝无仅有的能融合高性能、高可靠性和超长生命周期等特色的SRAM产品，这些特色对于无处不在的互联网和关键任务系统来说都是至关重要的。赛普拉斯的SRAM拥有长达30多年的历史和强大的知识产权集合，具有全球最佳的速度、功耗和可靠性，能满足最苛刻的系统要求。赛普拉斯还是唯一能提供所有品类SRAM产品的公司，包括同步、异步、双端口和非易失性SRAM。赛普拉斯的SRAM广泛应用在全球各地的网络、工业、汽车、军事和航空航天，以及医疗系统中。赛普拉斯与客户及合作伙伴密切协作，不断开发新的SRAM品类，以满足未来互联网和物联网对产品性能的要求。
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关于赛普拉斯
赛普拉斯(纳斯达克股票代码：CY)为当今最先进的嵌入式系统提供核心的高性能、高品质解决方案，应用于从汽车、工业和网络平台到高交互性的消费和移动设备的广泛领域。我们拥有丰富的产异化产品线，包括：NOR 闪存、F-RAM™ 和 SRAM、Traveo™微控制器、业界唯一的PSoC®可编程片上系统解决方案、模拟和PMIC电源管理芯片、CapSense®电容式触摸感应控制器，无线BLE低功耗蓝牙以及USB连接解决方案。赛普拉斯致力于为全球客户持续提供具有创新性的、业界最佳的支持和卓越的系统价值。欲了解更多信息，请访问：。
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