英飞凌扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合，提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台。
英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前，英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台，包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量，这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所收购美国国际整流器公司的GaN平台，以及我们与松下电器的伙伴关系，使英飞凌在前景光明的GaN市场上确立了技术领先的地位。按照我们‘从产品到系统’的策略，现在，我们的客户可以根据其设备/系统要求，灵活选择增强模式或级联模式。与此同时，英飞凌致力于开发表面贴装器件(SMD)和IC，以便GaN技术在更为紧凑的空间内进一步充分发挥其优越性能。举个常见的实例来说，利用我们的GaN技术，当前市场上销售的便携式电脑充电器的尺寸和重量，可以被缩小并减轻至目前的四分之一。”
扩充后，英飞凌提供产品将包括专门的驱动器和控制器IC，它们有助于充分发挥GaN在各种拓扑和更高频率下的优越性。同时，通过收购International Rectifier公司, 更为广博的专利组合、硅基GaN外延工艺和100V-600V技术等都得到了进一步加强。此外，通过与松下电器结成战略合作伙伴关系，英飞凌与松下电器将联合推出结合了松下电器的常闭型(增强模式)硅基GaN晶体管结构与英飞凌的表面贴装器件(SMD)封装的器件，推出易于使用的高能效600V GaN功率器件，这也将带给客户双重货源便利。
这样一来，英飞凌为客户提供了完备的系统知识，以及业界最全面的GaN技术和产品组合。不仅如此，英飞凌将凭借出类拔萃的生产工艺、量产能力和第二货源渠道的优势，为客户提供采用英飞凌SMD封装的常闭型GaN功率器件。
相比于硅技术解决方案，硅基GaN技术能够提高功率密度和能效，同时缩小器件尺寸，因此，非常适用于从诸如电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品，到服务器和电信设备中使用的SMPS。IHS发布的市场研究报告称，面向功率半导体的硅基板GaN技术市场，将以高达50%以上的年均复合增长率(CAGR)增长，因此，到2023年，其市场容量将从2014年的1,500万美元，增至8亿美元。
供货情况
2015年3月15日至19日，在北卡罗来纳州夏洛特市举办的应用电力电子会议暨展览会(APEC)上，英飞凌和松下电器已展示采用DSO封装的600V 70mΩ器件样品。此外，还展出了增强模式和共源共栅配置器件。可在与客户签订保密协议(NDA)的情况下，提供增强模式和级联结构的器件样品。全面上市的中压级联结构的GaN器件已向相应的D类音频系统客户开放。
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