1. 本征半导体及其特点
纯净的半导体称为本征半导体。在热“激发”条件下，本征半导体中的电子和空穴是成对产生的;当电子和空穴相遇“复合”时，也成对消失;电子和空穴都是载流子;温度越高，“电子—空穴”对越多;在室温下，“电子—空穴”对少，故电阻率大。
2. 掺杂半导体及其特点
( 1 ) N 型半导体：在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成 N 型半导体， N 型半导体中电子为多子，空穴为少子;电子的数目(掺杂 + 热激发) = 空穴的数目(热激发) + 正粒子数;半导体对外仍呈电中性。
( 2 ) P 型半导体：在本征硅或锗中掺入适量三价元素，形成 P 型半导体，其空穴为多子，电子为少子;空穴的数目(掺杂 + 热激发) = 电子的数目(热激发) + 负粒子数;对外呈电中性。
在本征半导体中，掺入适量杂质元素，就可以形成大量的多子，所以掺杂半导体的电阻率小，导电能力强。
当 N 型半导体中再掺入更高密度的三价杂质元素，可转型为 P 型半导体;反之， P 型半导体也可通过掺入足够的五价元素而转型为 N 型半导体。
3. 半导体中的两种电流
( 1 )漂移电流：在电场作用下，载流子定向运动所形成的电流则称为漂移电流。
( 2 )扩散电流：同一种载流子从浓度高处向浓度低处扩散所形成的电流为扩散电流。
4. PN 结的形成
通过一定的工艺，在同一块半导体基片的一边掺杂成 P 型，另一边掺杂成 N 型， P 型和 N 型的交界面处会形成 PN 结。
P 区和 N 区中的载流子存在一定的浓度差，浓度差使多子向另一边扩散，从而产生了空间电荷和内电场;内电场将阻多子止扩散而促进少子漂移;当扩散与漂移达到动态平衡时，交界面上就会形成稳定的空间电荷层(或势垒区、耗尽层)，即 PN 结形成。
5. PN 结的单向导电性
PN 结正向偏置时，空间电荷层变窄，内电场变弱，扩散大于漂移，正向电流很大(多子扩散形成)， PN 结呈现为低电阻，称为正向导通。正向压降很小，且随温度上升而减小。
PN 结反向偏置时，空间电荷层变宽，内电场增强，漂移大于扩散，反向电流很小(少子漂移形成)， PN 结呈现为高电阻，称为反向截止。反偏电压在一定范围内，反向电流基本不变(也称为反向饱和电流)，且随温度上升而增大。
6. PN 结的电容特性
(1)势垒电容CB：当外加在PN结两端的电压发生变化时，空间电荷层中的电荷量会发生变化，这一现象是一种电容效应，称为势垒电容。CB是非线性电容。
(2)扩散电容CD：当PN结正向偏置时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界附近有积累，并会有一定的浓度梯度。积累的电荷量也会随外加电压变化，引起电容效应，称为扩散电容。CD也是非线性电容。
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