近日，赛普拉斯与华力微电子宣布基于赛普拉斯55纳米工艺节点的SONOS嵌入式闪存技术的知识产权(IP)，开发出可工作的硅光电池，这一技术将于2015年下半年投产。
性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器为下一代智能卡和物联网应用，带来高良率和具有可扩展性的工艺。
嵌入式非易失性存储器解决方案的领先供应商赛普拉斯半导体公司，与中国最先进的专业晶圆代工厂上海华力微电子公司(HLMC)日前共同宣布，双方基于赛普拉斯55纳米工艺节点的SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存技术的知识产权(IP)，开发出可工作的硅光电池。这些硅光电池是为智能卡和物联网应用而设计。赛普拉斯的SONOS能带来较低的晶圆和裸片成本，以及无与伦比的用于未来深入开发的可扩展性。这一技术和设计IP将于2015年下半年提供给HLMC的大批量投产的客户。
HLMC于2014年1月获得了赛普拉斯55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器(NVM)的工艺授权许可。该技术与其他嵌入式NVM方案相比具有显著的优势。为了插入标准的CMOS工艺，SONOS只需三层掩膜，而其他的嵌入式闪存技术则需要另外的9到12层。掩膜数量的减少意味着更低的制造成本。当加入到CMOS工艺之后，SONOS并不改变标准的器件特性或模式，因而能保护已有的IP。SONOS具有与生俱来的高良率和业界最佳的可靠性，10年的数据保存期，10万次编程、擦除寿命，以及对软错误的强大容错性能。赛普拉斯已成功展示了将SONOS扩展至40纳米和28纳米节点的能力，从而加速了未来IP的开发进程。
HLMC副总裁Jack Qi Shu说：“我们很高兴能用赛普拉斯的55纳米SONOS技术实现这一里程碑式的突破。这将为我们的客户带来显著的价值。SONOS是一项性价比很高的工艺，能实现很高的良率。其可靠性和效率对于批量很大的互联网和智能卡应用而言非常重要。”
赛普拉斯技术与知识产权事业部副总裁Sam Geha说：“我们与HLMC一起用SONOS技术实现55纳米硅光电池，充分证明了这一技术的可扩展性和设计便利性，以及HLMC在制造领域的专长。SONOS的低成本、高性能和可靠性对于快速成长的智能卡、物联网市场、银行卡、可穿戴电子设备和其他逻辑主导的产品而言，是非常理想的选择。赛普拉斯将和HLMC这样的市场领先者精诚合作，使SONOS成为业界嵌入式非易失性存储器平台的首选。”
关于上海华力微电子公司
公司于2010年在上海张江高科技园区创立，是中国大陆最先进的专业晶圆代工厂。华力拥有一个300毫米的工厂，最大产能为每月3万5千片晶圆。华力的工艺技术自55纳米技术节点起步，主要涵盖55纳米LP、40纳米LP、55纳米HV、55纳米e-Flash以及用于多种类型应用的专门技术。华力致力于为国内外客户提供全面的代工解决方案和增值服务。
关于赛普拉斯
赛普拉斯提供高性能、混合信号、可编程解决方案，可加快客户产品的上市进程并提供出色的系统价值。赛普拉斯的产品包括旗舰产品 PSoC® 1、PSoC 3 和 PSoC 5 可编程片上系统系列，及其多种衍生产品，如应用于触摸屏的 CapSense® 触摸感应和 TrueTouch® 解决方案。赛普拉斯在 USB 控制器领域居全球领先地位，这类产品中包括能提升多媒体手机的连接性和性能的高性能 West Bridge® 解决方案。此外，赛普拉斯还是 SRAM 存储器的全球领先供应商。赛普拉斯的产品应用于众多领域，包括消费类电子、手机、计算、数据通信、汽车、工业和军事等。赛普拉斯的股票在纳斯达克全球精选市场上交易，股票代码为 CY。
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