16Mb快速异步SRAM 具有业界最低的软错误率
静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码(ECC)的16Mb快速异步SRAM 已开始出样。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该器件可确保工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费电子和汽车等应用领域里的数据安全。
背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作，无需用户干预，因而具有业界最佳的软错误(SER)性能。 16Mb快速异步SRAM的存取时间可达到10-ns，而且与目前的异步SRAM管脚兼容，客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。
赛普拉斯还推出了一款新的快速异步SRAM，其PowerSnooze™功能结合了快速异步SRAM10-ns的存取时间和与MoBL系列相当的超低待机功耗。PowerSnooze是一种额外的深度睡眠节能模式，对于16Mb的SRAM来说，其典型深睡眠电流可低至12 uA。具有PowerSnooze功能的16Mb快速SRAM也可提供片上ECC功能。
赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监Sunil Thamaran说：“赛普拉斯是世界上无可争议的异步SRAM领导者，拥有超过30年的开发经验和业界最宽的产品线。我们具有ECC功能的新型16Mb 异步SRAM是可靠的单片存储解决方案，可用于高速和低功耗应用。我们具有ECC功能的SRAM品种还会增加。”
赛普拉斯的16Mb异步SRAM具有业界标准的x8, x16 和 x32配置。器件具有多种工作电压(1.8V， 3V和5V)，工作温度范围为-40◦C 至 +85◦C(工业级)和-40◦C 至 +125◦C(汽车级)。
供货情况
全新16Mb快速SRAM 和具有PowerSnooze 功能的16Mb 快速SRAM目前已有样片，预计2014年7月份量产。这些器件以符合RoHS标准的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA 和54-pin TSOP II方式封装。
关于赛普拉斯
赛普拉斯提供高性能、混合信号、可编程解决方案，可加快客户产品的上市进程并提供出色的系统价值。赛普拉斯的产品包括旗舰产品 PSoC® 1、PSoC 3、PSoC 4 和 PSoC 5 可编程片上系统系列。赛普拉斯是全球电容式用户界面解决方案领域的领导者，产品包括应用于触摸感应的 CapSense®，用于触摸屏的TrueTouch® 和用于笔记本电脑、PC及外设的trackpad解决方案。赛普拉斯在 USB 控制器领域居全球领先地位，产品主要用于提升诸多消费和工业产品的连接性和性能。此外，赛普拉斯还是 SRAM 和非易失性RAM存储器的全球领先供应商。赛普拉斯的产品应用于众多领域，包括消费类电子、手机、计算、数据通信、汽车、工业和军事等。赛普拉斯的股票在纳斯达克全球精选市场上交易，股票代码为 CY。
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