器件的RDS(ON)比前一代器件低53%，TSOP-6封装的占位面积小55%
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm，在10V下具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。
SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器，以及以太网供电 (PoE) 的供电设备开关、电信DC/DC砖式电源和便携式电子设备里电源管理应用的同步整流和负载切换。对于这些应用，PowerPAK SC-70的占位比3mm x 2.8mm TSOP-6封装小55%，同时热阻低40%。
SiA446DJ采用ThunderFET® 技术制造，在10V、7.5V和6V下的最大导通电阻低至177mΩ、185mΩ和250mΩ。在10V下，器件的导通电阻比采用TSOP-6封装的前一代器件低53%，其典型导通电阻与栅极电荷的乘积即优值系数低54%，可提高效率。而且，SiA446DJ的导通电阻比最新的采用3mm x 2.7mm SOT-23封装的器件低26%。
SiA446DJ加上此前发布的PowerPAK SC-70封装的100V SiA416DJ和PowerPAK SC-75封装的100V SiB456DK，拓展了采用小尺寸、热增强封装的Vishay中压MOSFET的产品组合。器件进行了100%的RG和UIS测试，符合RoHS，无卤素。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
（转载）
