8通道的DG508B和4通道的DG509B采用独特的设计，非常适用于模数转换网络的模拟前端中的高精度复用，这种应用中需要更快和更精确的数据采集性能。DG508B和DG509B CMOS将最大电压等级提升到44V，具有轨到轨模拟输出能力，可以在双电源或单电源配置下工作。
器件采用增强的SG-II CMOS工艺制造，在处理宽摆幅的模拟信号时，通道的典型关断泄漏电流小于3pA。源关闭时的寄生电容仅为3pF，电荷注入小于2pC，从而实现了精确、低电涌的开关性能。
器件具有超低功耗，可保证在整个工作温度范围内的最大电流不大于600 μA，这要比市场上其他最好的器件还要低60%，这使得DG508B和DG509B能够胜任便携式、电池供电的应用。
增强的SG-II CMOS工艺也使得新器件在大于200MHz的带宽下的衰减只有-3dB，在100MHz时的串扰合关闭隔离达到-40dB，这使得DG508B和DG509B可胜任包括视频在内的各种各样模拟信号应用。
DG508B和DG509B的导通通道能够在两个方向上都同样良好地导电，每个通道在关闭状态下能够阻断和电源轨一样高的电压。复用器具有使能功能，在遇到多个堆叠的器件时，能够把所有开关复位至关闭状态。器件的其他特性还包括与TTL兼容的逻辑和先开后合的开关动作，能够保护器件免受相邻通道间瞬时串扰的影响。
DG508B和DG509B均提供16脚的SOIC和TSSOP封装，可在- 40℃～+125℃的扩展温度范围内工作。器件采用无铅端子，符合RoHS指令和IEC 61249-2-21的无卤素规定。
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