SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的第一步,是高性能存储器和复杂逻辑电路(如微处理器)的基础。这款22nm SRAM采用传统的六晶体管设计,面积仅为0.1平方微米。
目前商用最领先的生产工艺是45-nm。IBM和其合作伙伴正在着手研究32-nm high-k metal gate(高K金属栅极)技术。IBM研究人员对SRAM单元设计和电路布局进行了优化以提高稳定性,并开发了多个生产工艺以确保新的SRAM单元顺利生产。研发人员利用新的NA浸没式光刻技术(浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径。)使SRAM的尺寸和密度有突破。
这一22-nm SRAM单元集领先的high-K metal gate(高K金属栅极)堆栈、晶体管的光刻尺寸(gate length)小于25-nm、间隔层薄(spacer)、共同离子注入(Co-implant)、先进的激活能工艺、薄硅和镶嵌铜接触(damascene copper contacts)技术于一体。“我们所研究的SRAM芯片处在最前沿,朝先进的下一代半导体工艺靠拢”,IBM Research科学技术副总裁T.C. Chen表示,“这一22-nm SRAM芯片是我们在持续推动微电子领域内器件微型化道路上取得的突破性成果。”
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